第39章 新的架构设计！（2 / 2）

他不愧是在芯片半导体制造领域的技术大神，受到这种晶体管设计结构的启发后很快想出了氮化硅薄膜钝化工和部分金属接触的具体工艺技术方案，这种工艺技术方案可以有效地阻挡上层氮化硅层被捕获的电荷进入下层氮化硅介质空穴形成空穴复合，并且这种工艺技术可以说极大地降低了金属接触复合电流，也让这种新型晶体管功耗更低的同时还可以承受更高的电压和更大的电流。

张君正脑中此时结合国外在SoNoS晶体管方面的一些文献资料里面的数据已经推算出采用这两种新工艺技术的新型结构晶体管拥有的性能参数，虽然这些参数肯定跟今后实际的晶体管器件有偏差，不过这让张君正心中有数了。

“小张博士，你设计的这种新型SoNoS晶体管要比希伯来国赛芬半导体公司研发的那种晶体管结构要先进得多，完全可以开发出这种单个存储单元存储4位的新型闪存颗粒，用来开发3比特存储单元倒显得有些浪费了……”

邱梦生此时对张君正开口说道。

张君正笑了笑，“一步步来吧，现在这些闪存芯片大厂都在陆续推出这种浮栅技术的2比特存储单元架构的闪存颗粒，我们要是一下子搞出单个存储单元存储4位的新型闪存颗粒的话会遭到他们的围攻，严重的话可能会上亚米利加国的黑名单，就算是研发出3比特闪存颗粒后对外宣传也只说是2比特闪存颗粒，大家还是低调一些最好。”

邱梦生听到这话后愣了下，随即嘴角露出心领神会的笑意，点头道：“这件事确实是应该如此。”

“梦生，小张博士的这种新型晶体管制造工艺难度如何？”

刘希轮此时开口问道。

“难度不是很大，我有信心在三个月内用零点一八微米制程工艺将这方面的工艺技术开发出来。”

邱梦生一脸自信地说道。

华芯国际公司在魔都市那边的新晶圆厂生产线今年才跑通零点一八微米的逻辑芯片制程工艺，邱梦生自然是想尽早研发出零点一八微米制程工艺的这种闪存颗粒工艺技术流程。

黄老和刘希轮等人脸上都是露出了无比欣喜的神色。

“刘总，最为关键的是小张博士设计构思的这种新型晶体管结构加上这种差分电路和存储单元的阵列结构已经差不多形成了一个非常完整的新型NANd 架构内核Ip，这样就不需要向国外任何存储芯片企业引进NANd Ip专利，我们也不需要向这些企业支付相关的制造工艺技术专利费用了。”

邱梦生此时激动地向刘希轮说道。

“太好了！”

刘希轮猛地一拍自己的双手，激动地抓住张君正的双手说道：“小张博士，现在你可是让国内在闪存芯片颗粒设计制造领域实现了巨大的突破呀！”

“刚才我就是动动嘴和动动手，能帮到华芯国际公司和国内半导体产业就最好不过了。”

张君正看到前世这位自己非常敬仰的人物此时激动地跟自己说话，他心中此时也颇为激动的。

“黄老，如果可以的话，我希望小张博士和这边的技术团队能够和我们华芯国际一起合作研发这种新型闪存芯片，最好的话可以成立一家公司，华芯国际公司可以为这家公司提供资金和技术人员。”

刘希轮看向黄老说道。