第39章 新的架构设计！（1 / 2）

“至于这种3比特数据量存储颗粒存在写入缓慢的技术难题也是可以通过增加高速缓存的技术方案来大幅提升短时突发写入速度。”

张君正开口说道：“另外也可以采用这种将存储单元和外围电路分离的技术方案，可以分别加工成不同的晶片，然后通过晶圆键合工艺技术再将两片晶圆合二为一，通过高速总线设计大幅提升读写速度。”

刘希轮听到这里已经是双眼冒出炽热的光芒，他猛地看向了一边的这位年纪在四十多岁，留着平头短发的邱梦生说道：“梦生，你觉得这两种技术方案如何？”

“小张博士刚才提出来的这两种设计技术方案都非常具有原创性，尤其是后面这种技术方案简直是神来之笔，并且技术优势非常大。”

这位邱梦生是华芯国际的技术研发副总裁，拥有极为丰富的半导体芯片制造技术研发经验，也是刘希轮的得力助手，此时他非常激动地看着张君正说道：“小张博士，能不能具体地说一下你这两种技术方案？”

“我还是用草图的方式大概说明一下吧。”

张君正说道。

听到这里，胡宗武跟另外几名学弟便很快搬来了两张大白板。

张君正跟胡宗武他们之前在讨论技术内容的时候大多是用白板手写草图的方式来说明自己的一些设计概念和算法流程，所以胡宗武在听到张君正这么一说后便心领神会地搬来了白板。

“谢谢。”

张君正从曹文茜手中接过唛头笔时见到她双眼中满是兴奋期待，笑了笑说道。

曹文茜见张君正看着自己，嫣然一笑。

接过唛头笔的张君正随即便在一块白板上面开始书写自己的第一种设计方案构想。

“这个设计方案我是受到了这种非挥发性存储技术中的这种SoNoS晶体管结构的启发……”

张君正用草图的方式将自己构思的这种晶体管结构画了出来。

“我的想法的是拿掉SoNoS晶体管下面的这种隧穿氧化层，替换上这种非常薄氧化硅加氮化硅加氧化硅的三明治结构，最上面的这层氮化硅用来存储电子，下面的这层氮化硅用来存储空穴，这样的晶体管结构是可以彻底解决原先SoNoS晶体管的高可靠性和擦写慢的难题。”

“对对对！”

这时候邱梦生猛然站起身来激动地大声道，他一眼便看出了张君正构思出来的这种新型晶体管结构的精妙之处！

他来到张君正的身边看着白板上的这种晶体结构兴奋地说道：“氮化硅的电压阈值要比隧穿氧化层要大得多，可以进行非常好的钝化……”

说着，邱梦生也拿起了一支唛头笔在另外一块白板上按照张君正设计的这种晶体管开始刷刷地写着具体的的加工工艺流程。