第429章 （漏了一张补上）世界范围内申请专利（2 / 3）

即两个p型和两个N型两个p结之间只隔着一层很薄的p-N结，因此认为发光二极管的结构与制作半导体二极管的结构相同。

即可以用半导体工艺来制作LEd发光二极管，他哪里知道根本就不是这么回事。

再次，岛国的科学家对发光二极管的工作特性也缺乏了解，认为其工作时发射的电子具有方向性，其发射方向只有两个方向。

在p结区和基极区间发射的电子流沿着两个方向分流后从两端汇集形成表面势垒区。

使得发光二极管发射的电子流只能沿着两个方向分流，从而形成了发光二极管的单向导电特性。

总之，如果不是叶回舟开挂，那么80年代研制不出LEd白光是应该的。

原因是多方面的，其中材料、制造工艺和应用等因素都有可能影响到白光LEd的研制。

那个科学家在研制初期，研制出来的LEd的发光效率并不高。

白光LEd的研制主要集中在提高LEd的发光效率上。

加上，LEd在刚开始研制时，主要是应用在一些显示屏、仪器仪表等领域，对于白光LEd的需求并不是很大。

因此会社研究所对白光LEd的研制并没有给予足够的重视。

再加上现在大部分的实验室的半导体材料的特性还不太熟悉。

LEd的材料主要是以III-V族化合物为主，其中最常用的是GaN和AlN。这些材料在可见光范围内具有较好的透光性。

但是在蓝光波长处的光透过率较低，这限制了白光LEd的发光效率。

株式会社的实验室里，研制出高亮度、高效率的白光LEd还存在一些技术上的困难。

例如如何提高LEd的发光效率、如何降低LEd的工作电压等，要不断地实验，这也需要很长的时间和金钱。

最后，岛国的科学家对LEd的制作工艺也缺乏了解，以为发光二极管可以使用砷化镓这一较低禁带宽度的材料来制作。

但实际上，由于砷化镓禁带宽度较宽，其制作工艺复杂，成本较高，直到一年之后拿到了叶回舟制作的LEd小灯珠实物时，才逆向解析。

再花了大半年的时间，总算把白光LEd研制出来了。